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トランスのインダクタンスについて 投稿者:Mappy 投稿日:2020/11/01(Sun) 23:48 No.3117
DE-10K7W,SE-5K4Wのインダクタンス値が知りたいのですが、どれくらいの値になりますでしょうか?
Re: トランスのインダクタンスについて - ARITO@宝塚 2020/11/02(Mon) 07:14 No.3120
お問い合わせありがとうございます。
 
おそらく最大インダクタンスのお問い合わせだと思いますが、当ラボでは
最大インダクタンスを測定する設備が現在のところございません。
したがいまして、大変申し訳ございませんが、お答えすることができません。
 
ちなみに、LCRメーターで100Hz、1Vでのインダクタンスを測定いたしますと、
DE-8K7W:  169.5H
DE-10K7W:  176.5H
でした。

トランスのインダクタンスは一次側に印加される信号の振幅が大きくなると、コアが
飽和するまでだんだん大きくなってゆき、飽和すると急激に低下する挙動を示します。
(左図をご参照ください。コアの磁束密度は印可される信号の振幅に比例します。)
したがいまして、最大インダクタンスは少なくとも上記条件でのインダクタンスよりも
大きいであろうと予想いたしますが、正確な値は分かりません。
  


添付:3120.jpg (96KB)

Re: トランスのインダクタンスについて - ARITO@宝塚 2020/11/02(Mon) 08:42 No.3121
以下は、問合せの回答ではなく、ひとりごとです。
 
時々、トランスの一次側インダクタンスの問い合わせを受けますが、
回答をどのように活用されるのかしら?といつも疑問に思います。
 
ある人は低域のカットオフを計算するため、と言われましたが、上の書き込みのグラフの通り、
信号レベルによって低域のカットオフが変わるのがトランスです。
このような状態でどうやって低域カットオフを計算するのかしら?と思います。
メーカー発表の最大インダクタンスはコアの飽和寸前の値ですから、
そのような状態でカットオフを計算しても、あまり意味はないような気がします。
 
加えて、トランスのインダクタンスは信号の周波数にも依存します。
したがって、メーカー発表の最大インダクタンスを測定した周波数が
明記されていないと、比較すらできませんし、カットオフを計算しようにも
例えば1kHzで測定したインダクタンスは、計算上のカットオフ周波数での
インダクタンスとは恐らく違いますから、正しい答えなのか?という疑問も生じます。
 
結論としましては、最大インダクタンスという仕様は、一般的にインダクタンスが
大きい方が良いトランスとされているため、メーカーとしては一番インダクタンスが
取れる条件で測定して発表しますが、それを設計に活用することは難しい、
といいますか、試みてもあまり意味は無いように思います。
 
信号レベルによって出力トランスの低域カットオフが変わる例を左図に挙げます。
このアンプは低域のスタガリングが若干ですが適切ではなかったため、
NFBを掛けた状態での低域のF特において、小出力時に盛り上がりが
生じています。出力を上げてゆくと盛り上がりが収まるのは、トランスの
インダクタンスが振幅に応じて高くなり、低域カットオフが低い周波数へ
ズレるためだと思われます。
  


添付:3121.jpg (96KB)

Re: トランスのインダクタンスについて - Mappy 2020/11/02(Mon) 12:35 No.3122
回答ありがとうございます。

質問の意図ですが、低域特性の目安としたいと考えておりました。

インダクタンスの測定についてはいろいろと条件があるのですね。あえて明示しないメーカーがあることについて理解できました。
インダクタンスについては、同一メーカ内製品での相対比較として用いたほうが良い指標のようですね。

大変勉強になりました。ありがとうございました。


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